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局部放電產(chǎn)生的原因
點(diǎn)擊次數(shù):2122 更新時(shí)間:2017-12-13

GIS局部放電的研究

1.2 局部放電產(chǎn)生的原因

GIS中有可能出現(xiàn)的主要絕緣缺陷如圖所示,可以總結(jié)為以下幾個(gè)方面。

 

GIS中幾種缺陷示意圖

 

(1)固定缺陷:不僅包括了位于外殼表面和導(dǎo)體之上的金屬突起,還包括了在固體絕緣的一些微粒,對(duì)前者來(lái)說(shuō),它主要是在制作過(guò)程、安裝過(guò)程中產(chǎn)生,由于制造不良或擦劃導(dǎo)致的較為尖銳的毛刺。如果工頻狀態(tài)是較為穩(wěn)定的,那么這些缺陷不會(huì)發(fā)生擊穿現(xiàn)象,不過(guò),如果是諸如快速暫態(tài)過(guò)電壓和沖擊等快速電壓的情況,那么極有可能會(huì)發(fā)生擊穿現(xiàn)象;

 

(2)位于GIS腔體內(nèi),并且能夠進(jìn)行自由移動(dòng)的金屬微粒,GIS在制造和裝配以及運(yùn)行過(guò)程中都會(huì)產(chǎn)生一定的金屬微粒,這是非常常見(jiàn)的,這些微粒能夠?qū)﹄姾蛇M(jìn)行一定的積累。如果所處的電壓場(chǎng)是交流的,那么這些微粒就能夠產(chǎn)生移動(dòng),不過(guò)無(wú)論是移動(dòng)過(guò)程,還是放電過(guò)程,都是隨機(jī)發(fā)生的。這些微粒zui可能發(fā)生放電的情況就是在它們十分靠近高壓導(dǎo)體,不過(guò)并沒(méi)有發(fā)生接觸,和導(dǎo)體上固定的微粒相比,這種放電的可能性要高出至少10倍;

 

(3)傳導(dǎo)部分出現(xiàn)了不良的接觸,諸如浮動(dòng)部件,或者是靜電屏蔽等問(wèn)題,對(duì)于那些浮動(dòng)或者松動(dòng)的部件來(lái)說(shuō),它們極有可能會(huì)發(fā)生放電現(xiàn)象,其檢測(cè)起來(lái)相對(duì)比較容易,并且會(huì)出現(xiàn)反復(fù)的放電;

 

(4)在生產(chǎn)和制造過(guò)程中,絕緣子出現(xiàn)了內(nèi)部空隙或者表面的痕跡,后者是由于實(shí)驗(yàn)閃絡(luò)所導(dǎo)致的,也包括了電極表面所存在的粗糙,以及嵌入的一些金屬微粒,不僅如此,由于對(duì)金屬電極和環(huán)氧樹(shù)脂具有不同的收縮系數(shù),所以也會(huì)產(chǎn)生一定的空隙和氣泡。

 

以上所說(shuō)的GIS的絕緣體所存在的缺陷,極有可能會(huì)發(fā)生局部放電,如果發(fā)生了這種局部放電,那么絕緣材料會(huì)被腐蝕,甚至?xí)兂呻姌?shù)枝,zui終會(huì)使整個(gè)絕緣體被擊穿。

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